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據報道，已要求三星和 SK 海力士提供 HBM4 晶片樣品。這兩家半導體公司都在為特斯拉開發第六代高頻寬記憶體晶片原型。
據KEDGlobal報道，特斯拉已要求和 SK 海力士供應通用的 HBM4 晶片。預計在測試兩家公司的樣品後，特斯拉將選擇其中一家作為 HBM4 供應商。
透過使用三星和 SK 海力士生產的定製 HBM4 晶片，特斯拉除了減少對 Nvidia 的 AI 晶片依賴外，還尋求增強其人工智慧 (AI) 能力。
三星正努力爭取特斯拉的 HMB4 晶片訂單。該公司甚至與臺灣的臺積電合作，以促進其 HBM 晶片的開發並保持對 SK 海力士的優勢。
SK Hynix 也在加速發展，以保持其在 HBM 領域的領先地位。贏得特斯拉 HMB 訂單的公司將在全球記憶體供應鏈中看到大幅推動。
值得注意的是，第 6 代 HBM4 晶片對於特斯拉的 Dojo 超級計算機至關重要，該超級計算機專為訓練 AI 模型而設計，還將支援其 AI 資料中心和自動駕駛汽車。
HBM4 半導體與前幾代相比有顯著的增強，可提供高達 1.65 Tbps 的頻寬，比 HBM3E 快 1.4 倍，同時功耗降低了 30%。
Nvidia 要求 SK 海力士將 HBM4 的交付時間提前
據路透社報道，SK 集團董事長崔泰源表示，Nvidia 已要求 SK 海力士將下一代HBM4 記憶體晶片的交付時間提前六個月。
SK海力士最初計劃在2025年下半年向客戶交付HBM4晶片。應Nvidia執行長黃仁勳的要求，時間表縮短了，但並未指定具體的新時間表。Nvidia目前正在開發用於AI和HPC的下一代GPU，這些GPU將使用HBM4記憶體（代號可能為Rubin）。因此，該公司必須儘早獲得下一代高頻寬記憶體。
受人工智慧行業需求增長的推動，SK 海力士繼續鞏固其在 HBM 市場的領先地位。該公司為 Nvidia 的當前一代產品提供了 8-Hi 和 12-Hi HBM3E。展望未來，SK 海力士計劃明年推出 12 層 HBM4，並計劃在 2026 年推出 16 層版本，以滿足預期的行業需求。
最初，SK 海力士傾向於在其 HBM4 層中使用 1b DRAM 技術，但據報道，三星選擇更先進的 1c 生產技術，促使 SK 海力士重新評估其方法。
即將推出的 HBM4 標準將引入 24Gb 和 32Gb 的記憶體層，以及 4 高、8 高、12 高和 16 高 TSV 堆疊的堆疊選項。初始 HBM4 模組的確切配置仍不確定，三星和 SK 海力士計劃在 2025 年下半年開始批次生產 12 高 HBM4 堆疊。這些模組的速度等級會有所不同，具體取決於多種因素，但 JEDEC 的初步標準將速度設定為高達 6.4 GT/s。
為了製造其 HBM4 模組的基礎晶片，SK 海力士與臺積電合作。在 2024 年歐洲技術研討會上，臺積電透露將使用其 12FFC+（12nm 級）和 N5（5nm 級）工藝技術生產這些基礎晶片。N5 工藝將實現更高的邏輯密度和更細的互連間距，從而允許將記憶體直接整合到 CPU 和 GPU 中。或者，12FFC+ 工藝將透過使用矽中介層將記憶體與主機處理器連線起來，提供更具成本效益的解決方案，在效能和可負擔性之間取得平衡。
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